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画像つき記事
基板から半導体のIC(樹脂パッケージ)をはんだ吸い取り線を使ってはんだを除去する
次にそのはんだを除去して基板から外れたICチップをビーカーに入れる
ICが浸るぐらいのギリギリのラインまで強酸の液体を入れる
そのビーカーを化学の授業で使う電気のヒーターの上で加熱する
加熱時間は分からないが、十分に樹脂が除去できた時点でヒーターからビーカーを下ろす そして冷ます
金属のピンセットでシリコンのウェハーを取り出してキッチンペーパーの上において強酸を切る
そのシリコンウェハーをSEMや電子顕微鏡で表面を観察すればトランジスタ1個レベルで半導体の実装がシリコンウェハーにどのように並んでいるかが分かる
後は僕のblogの過去記事を参考にリバースエンジニアリングする
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