ＳＫハイニックス、過去最高の営業利益率…「ＨＢＭ需要、今後３年間は供給を上回る」

SKハイニックスのクァク・ノジョン代表取締役社長が3月25日、京畿道利川市にあるハイニックス本社で開かれた株主総会で発言している＝SKハイニックス提供

　「メモリ価格の上昇は、一時的な需給の不均衡ではなく、市場の構造的な変化によるものです」（パク・ジュンドクDRAMマーケティング担当副社長） 　過去最高の業績を記録し、半導体のスーパーサイクルを実証したSKハイニックスは23日、人工知能（AI）への投資需要によるメモリ価格の上昇サイクルが、今後かなりの期間続くと見通した。特にSKハイニックスが強みを持つ広帯域幅メモリ（HBM）については、今後3年間、需要が供給を上回ると分析した。 　SKハイニックスは、AIへの投資ブームが本格化した昨年以降、四半期ごとに最高業績を記録している。今年第1四半期の営業利益は37兆6103億ウォン（約4兆500億円、連結基準）で、前四半期（19兆1696億ウォン）の約2倍で、昨年第1四半期（7兆4405億ウォン）に比べ、5倍以上急増した水準。特に第1四半期の営業利益率は72％で、過去最高だった前四半期の営業利益率（58％）を大幅に上回った。AI投資などにより過去最高レベルの営業利益率を記録しているNVIDIA（65％強）、TSMC（58％強）、Apple（48％強）などを上回っている。 　主役は断然HBMだ。ハイニックスは、HBMや大容量サーバー用DRAMなどの販売が増加し、過去最高の実績を達成したと説明した。同社は第5世代製品であるHBM3とHBM3Eで市場をリードしてきた。業界では、ハイニックスの半導体総出荷量に占めるHBMの販売割合を30〜40%とみている。ハイニックス側は「今後3年間、顧客から求められる需要はすでに当社の供給生産可能量（CAPA）を大幅に上回る水準」だとし、「限られたCAPAの中でHBMを円滑に供給するために全力を尽くしている」と強調した。 　汎用DRAMやNANDフラッシュの価格上昇も、超高収益圏への突入に影響した。DRAMの出荷量は大きく伸びなかったものの、半導体の平均販売価格（ASP）が前四半期比で60%台半ばまで上昇したうえ、NANDも企業向けのフラッシュメモリ（eSSD）の需要急増により平均販売価格が70％台半ばまで上昇し、黒字幅を拡大した。ハイニックスのキム・ウヒョン財務部門長（CFO）はカンファレンスコールで、「第2四半期のDRAM出荷量は1桁台後半、NANDは10％台半ば程度増加すると予想している」と説明した。 　ハイニックスはさらに、「サプライヤー各社が収益性を重視した保守的な投資基調を維持しており、HBMのような高付加価値製品へのプロセス転換が加速する中で、汎用DRAMの供給増加はさらに限定的になる」とし、「メモリ価格は下半期も堅調な上昇基調を維持するだろう」と見通した。同社は、収益を技術格差を広げるための設備投資と株主還元と並行して行うことにした。HBMを主に生産する新工場（M15X）の稼働拡大や極紫外線（EUV）装置の確保など、前年比で設備投資を増やし、純現金の拡大に基づく配当や自社株買いと消却を通じて株主への還元を拡大するというのが同社の説明だ。 　次世代メモリ半導体をめぐる競争も注目される。同社は「今年下半期に第7世代HBM（HBM4E）のサンプルを供給し、2027年の量産を目標に順調に進めている」とし、「出荷スケジュールと製品仕様について顧客企業と協議中だ」と明らかにした。サムスン電子も先月、「GPUテクノロジーカンファレンス（GTC）2026」で、第7世代HBMの実物チップを公開しており、来月には初のサンプル生産に乗り出す計画だ。「メモリのボトルネック」の解決策として登場した低消費電力メモリ「SOCAMM2」をめぐっても、メモリ3社は主導権確保に向けた競争を繰り広げている。 ペ・ジヒョン記者 (お問い合わせ japan@hani.co.kr )