卓上型 真空・プロセスガス 高速アニール炉

タッチパネル式 Φ12インチ対応 真空・プロセスガス
高速アニール加熱システム VPO-1000-300

 試作開発用途の他、インラインシステムにも組み込み可                                                                                                                                            最高2000 hPa (= 0.2 MPa)までの過圧に対応する新型                                                                                                                                         N2・H2・ギ酸対応・真空リフロー アニールプロセス、LTO焼結対応！

加熱エリア上面、下面にIR（赤外）方式のヒーターを装備し、最大到達温度1000℃、最高40K/sec.の高速昇温可能。窒素パージ方式による冷却方式を採用し、最大200K/min.の降温も実現しています。
プロファイルプログラム制御に、タッチパネルを採用。
温度制御、ガス流量（MFC）、真空制御などのプロファイルプログラム作成の他、プロセスデータの保存を行うことができます。Si-ウェハー接合によるガラス上のSi-太陽電池セル。
最大、300x300mm、またはΦ300mmまでの対象物を加熱させることができます。

• 卓上型サイズながら、最大到達温度1000℃(オプションで1200℃まで)を実現した真空プロセス高速加熱炉です
• 窒素ガスパージ、酸素ガスパージ、フォーミングガス（水素＋窒素）パージなどに対応します
• ワーキングエリアがガスシールドされているため、コンタミネーションを気にするプロセスや、その他のクリティカルなプロセスに使用することが可能
• 上下36本のIR（赤外）ヒーターによって加熱が行われるため、正確で高速な加熱を行うことが可能
• 適切な真空ポンプとの組み合わせによって、最大0.1Pa（10-3hPa）(HVオプションで10-6 hPaまで）の真空環境を実現可能
• 窒素ガスパージ方式による降温に対応
• タッチパネル式モニターを標準装備。タッチ操作による簡単なオペレーションが可能
• 50セグメント（行）の温調プログラムを最大50プログラム、本体に登録可能

ローダー/アンローダーやロボットなどとの組み合わせによって、生産ラインへの組み込みが可能

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Φ8インチ対応 タッチパネル式 フロントローディング式
真空プロセス高速加熱炉 RTP-200

試作開発用途に最適
加熱エリア上面、下面にIR（赤外）方式のヒーターを装備し、最大到達温度1000℃、最高50K/秒の高速昇温可能。
プロファイルプログラム制御に、タッチパネルを採用。
温度制御、ガス流量（MFC）、真空制御などのプロファイルプログラム作成の他、プロセスデータの保存を行うことができます。
最大、182x182mm、またはΦ200mmまでの対象物を加熱させることができます。

• 卓上型サイズながら、最大到達温度1000℃を実現した真空プロセス高速加熱炉です
• 窒素ガスパージ、酸素ガスパージ、フォーミングガス（水素＋窒素）パージなどに対応します
• ワーキングエリアがガスシールドされているため、コンタミネーションを気にするプロセスや、その他のクリティカルなプロセスに使用することが可能
• 上下24本のIR（赤外）ヒーターによって加熱が行われるため、正確で高速な加熱を行うことが可能
• 適切な真空ポンプとの組み合わせによって、最大0.1Pa（10-3hPa）（HV 最大10-6 hPa）の真空環境を実現可能
• 窒素ガスパージ方式による降温に対応
• タッチパネル式モニターを標準装備。タッチ操作による簡単なオペレーションが可能
• 50セグメント（行）の温調プログラムを最大50プログラム、本体に登録可能

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Φ6インチ対応 タッチパネル式 真空・プロセスガス
高速アニール加熱システム RTP-150

試作開発用途に最適

加熱エリア上面、下面にIR（赤外）方式のヒーターを装備し、最大到達温度1000℃、最高75 K/sec.の高速昇温可能。
プロファイルプログラム制御に、タッチパネルを採用。
温度制御、ガス流量（MFC）、真空制御などのプロ ファイルプログラム作成の他、プロセスデータの保存を 行うことができます。
最大、156 x 156 mm、またはΦ150 mmまでの対象物を加熱できます。

• 卓上型サイズながら、最大到達温度1000℃を実現した真空プロセス高速加熱炉です
• 窒素ガスパージ、酸素ガスパージ、フォーミングガス（水素＋窒素）パージなどに対応します
• ワーキングエリアがガスシールドされているため、コンタミネーションを気にするプロセスや、その他のクリティカルなプロセスに使用することが可能
• 上下24本のIR（赤外）ヒーターによって加熱が行われるため、正確で高速な加熱を行うことが可能
• 適切な真空ポンプとの組み合わせによって、最大0.1 Pa（10-3 hPa）（HVオプションで10-6 hPaまで）の真空環境を実現可能
• 窒素ガスパージ方式による降温に対応
• タッチパネル式モニターを標準装備。タッチ操作による簡単なオペレーションが可能
• 50セグメント（行）の温調プログラムを最大50プログラム、本体に登録可能

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Φ4インチ対応 タッチパネル式 フロントローディング式
真空プロセス高速加熱炉 RTP-100

試作開発用途に最適
加熱エリア上面、下面にIR（赤外）方式のヒーターを装備し、最大到達温度1200℃、最高150K/秒の高速昇温可能。
プロファイルプログラム制御に、タッチパネルを採用。
温度制御、ガス流量（MFC）、真空制御などのプロファイルプログラム作成の他、プロセスデータの保存を行うことができます。
最大、100x100mm、またはΦ100mmまでの対象物を加熱させることができます。

• 卓上型サイズながら、最大到達温度1200℃を実現した真空プロセス高速加熱炉です
• 窒素ガスパージ、酸素ガスパージ、フォーミングガス（水素＋窒素）パージなどに対応します
• ワーキングエリアがガスシールドされているため、コンタミネーションを気にするプロセスや、その他のクリティカルなプロセスに使用することが可能
• 上下18本のIR（赤外）ヒーターによって加熱が行われるため、正確で高速な加熱を行うことが可能
• 適切な真空ポンプとの組み合わせによって、最大0.1Pa（10-3hPa）（HV 最大10-6 hPa）の真空環境を実現可能
• 窒素ガスパージ方式による降温に対応
• タッチパネル式モニターを標準装備。タッチ操作による簡単なオペレーションが可能
• 50セグメント（行）の温調プログラムを最大50プログラム、本体に登録可能
  
  

  RTP-100ハードウエア仕様
  有効加熱エリア	直径100mm（4インチ）
  チャンバー高さ	18 mm
  最大到達温度	1200 °C
  最大昇温速度	最大150 K/sec（直径100 mmのSiウェハー）
  最大降温速度	200 K/min T= 1200 °C > 400 °C； 30 K/min T= 400 °C > 100 °C
  到達真空度	最大10-3 hPa
  ガス供給ライン	1系統MFC(マスフローコントローラー）※最大３系統可能
  温度プロファイルプログラム	最大50ステップ
  プログラム登録可能数	最大50プログラム
  加熱プレート冷却方式	空冷（N2）
  チャンバー冷却	冷却水循環方式
  電源仕様	400/230 V, 20 kW
  装置サイズ (W x D x H)	504 mm x 521 mm x 576 mm
  装置重量	55 kg
  チャンバー材質	アルミニウム製
  プロセスチャンバーサイズ (W x D x H)	134 x 169 x 18 mm
  加熱方式	18個のIRランプ（20 kW）による上下加熱
  プレート上面内温度差	≤ 設定温度の±1.5
  コントローラ方式	SIMATIC® コントローラ
  Log data 保存	USB、SD Card、Ethernet(LAN接続)

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