(cache)加工内容 | FabLinx Solutions 株式会社

ウエハー成膜サービス

あらゆるウエハーへ絶縁膜や金属膜などの成膜が可能です。
少量試作・開発・量産まで受託加工サービスをご提供いたします。

膜付きウェハーの販売も行っております。
詳しくはお問合せください。

	成膜手法	膜種	対応基板サイズ、その他
絶縁膜	熱酸化	熱酸化膜	～φ8インチ
	PE-CVD （低応力成膜）	TEOS	～φ12インチ
		SiO2	～φ8インチ
		SiN	～φ12インチ
		SiON	～φ8インチ
	LP-CVD	SiO2	～6インチ
		SiN	～6インチ
		SiON	～6インチ
金属膜	スパッタリング	Ti/Cu/Cr/Ni/Al/AlCu/NiCr/Ta/ TaN/TiW/TiN/AlSi/Al2O3 他膜種も検討可能	～φ12インチ
	LP-CVD	W	～4インチ
	LP-CVD	poly-Si	～6インチ

1層のみのパターニングから積層RDL形成まで、
あらゆるご希望にお応えいたします。
弊社ではステッパー/アライナーでの露光可能なため、
どのようなパターンでもお気軽にご相談下さい。

露光装置	対応基板	対応基板サイズ	特徴
i線ステッパー	Si/ガラス/SIC/SOIなど様々な基板へ対応可能。	Φ8,12インチ	・解像度実績=0.4/0.4μm ・両面アライメント可能・レジスト：ポジ/ネガ/ポリイミド等対応可・ステッピング精度 3σ≦30nm ・露光範囲 26mm×33mm、22mm×22mm
アライナー	Si/ガラス/SIC/SOIなど様々な基板へ対応可能。	～12インチ	・解像度実績＝NA（仕様装置による）・両面アライメント可能・レジスト：ポジ/ネガ/ポリイミド等対応可
マスクレスアライナー	Si/ガラス/SIC/SOIなど様々な基板へ対応可能。	～□８インチ	・解像度実績＝最小線幅0.7μm ・片面/バックサイドアライメント可能・レジスト厚（ポジ）・レジスト厚（ネガ）

絶縁膜のエッチングやSiエッチングまで対応可能です。
Si Deep RIEも多くの実績がございます。
あらゆるパターンでのエッチング対応が可能ですので、
お気軽にお問合せ下さい。

エッチング装置	用途	対応基板サイズ	備考
Deep RIE	Si深堀りエッチング用	Φ8,12インチ	・静電チャック方式・ガス：C4F8/SF6/Ar/O2/N2/CF4
ICP-RIE （多用途用）	多目的エッチング用（SiO2/メタル　など）	～6インチ	・ガス：CF4/CHF3/SF6/Ar/O2/N2/ 　　　　Cl2/BCl3
RIE	SiO2/SiN/Siエッチング用	～8インチ	・静電チャック方式・ガス：CF4/CHF3/SF6
RIE （多用途用）	多目的エッチング用（金属膜/圧電膜　など）	～6インチ	ガス：Cl2/BCl3/SF6/CF4/CHF3/Ar/N2/O2
アッシング装置	デスミア処理用	～12インチ	・ガス：CF4/Ar/N2/O2 ・レジスト除去・自然酸化膜除去

エッチング装置	用途	対応基板サイズ	備考
HFエッチング装置	SiO2犠牲層エッチング用	～φ8インチ	バッチ処理/枚葉処理
KOHエッチング槽	Si結晶異方性エッチング用	～φ8インチ	バッチ処理/枚葉処理
TMAHエッチング槽	Si結晶異方性エッチング用	～φ8インチ	バッチ処理/枚葉処理

	めっき種	対応基板サイズ	特徴
Bumpめっき	Cu/Ni/Au/SnAg	φ3～φ12インチ	Min：1.5μmのAu Bump形成可能。ハイアスペクトでの特殊Bumpなどもお気軽にご相談下さい。
配線めっき	Cu/Ni/Au	φ3～φ12インチ	薄膜から厚膜まで対応可能。配線幅も柔軟に対応いたします。
TSVめっき	Cu	～φ12インチ	ロングスロースパッタによるシード形成から埋め込みまで対応可能。（φ8インチ以下は通常スパッタ成膜にて対応）
UBM	Ni/Au	～φ12インチ	電解/無電解ともに対応可能
MEMSめっき	Cu/NiCo/PdCo/Rh 他材料も検討可能	～φ8インチ	ハイアスペクトめっき（厚膜めっき）可能。様々な形状での試作実績あり

当社では豊富な３次元積層型ICやMEMS製作経験を活かして、トータルファンドリーサービスを提供しています。
成膜/フォトリソ/エッチングはもとより、CMP/接合/チップ実装に関する経験も豊かなエンジニアが多数在籍しております。
お客様の設計をトータルコーディネートしたサービスも提供しております。